2SC3423-Y(Q) datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  2SC3423-Y(Q)
• Производитель
  TOSHIBA Semiconductor
• Описание
  TOSHIBA Semiconductor 2SC3423-Y(Q) Collector- Base Voltage Vcbo: 150 V Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 150 V Configuration: Single Continuous Collector Current: 50 mA Dc Collector/base Gain Hfe Min: 80 Dc Current Gain Hfe Max: 240 Emitter- Base Voltage Vebo: 5 V Gain Bandwidth Product Ft: 200 MHz Maximum Power Dissipation: 5 W Mounting Style: Through Hole Package / Case: 2-8H1A Product Category: Transistors Bipolar - BJT Rohs: yes Transistor Polarity: NPN RoHS: yes Collector- Base Voltage VCBO: 150 V Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 150 V Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz DC Collector/Base Gain hfe Min: 80 DC Current Gain hFE Max: 240
• Количество страниц
  5 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet 2SC3423-Y(Q).pdf
Файл формата Pdf 552,30 KB